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2013年桂林电子科技大学909材料科学基础(B)(2013-B)考研真题

 

研导师温馨提示:

历年专业课真题是考研专业课最珍贵的资料,每年的专业课真题重复的题型非常多。考生应把历年考题反复做透,做到融汇贯通。

专业课复习建议:

1、备考初期以课本为主,把课本的专业课必考点巩固好,打好基础。另外,一般情况下,课后习题也很关键。

2、备考中期可以通过辅助参考书,来加以强化训练。同时,也可以开始接触考研真题。

3、真题吃透,建议多做几遍,模拟考研现场进行练习。冲刺后阶段,也应回归课本,梳理知识点。

ps.可以站在出卷老师的角度进行思考,实际上出卷老师在出卷时也是借鉴各种参考资料或者课后习题变化然后出的题目。

 

资料内容:
 

2013年桂林电子科技大学909材料科学基础(B)(2013-B)考研真题

 

真题原文:

桂林电子科技大学2013年研究生统一入学考试试题B卷)
科目代码:909    科目名称:材料科学基础(B
请注意:答案必须写在答题纸上(写在试题上无效)。
一、名词解释(任选6题作答,每题5分,共30分)
1、布拉菲格子;2、显微组织;3、位错;4、上坡扩散;5、均匀形核;6、珠光体;7、位移相变;8、二次再结晶
二、简答题(任选4题作答,每题10分,共40分)
1、请阐述为什么HCP不能称为一种空间点阵。
2、何为固溶强化?影响固溶强化的因素有哪些?
3、材料在凝固的过程中,获得细晶粒的措施主要有哪些?
4、写出Hall-Petch公式,并说明公式中各字母的含义。
5、下图为某材料的扩散系数和温度的关系曲线。说明(1)、(2)和(3)温区各属于什么扩散?
6、Al2O3溶入MgO中形成空位型固溶体,试写出其缺陷反应式。
三、作图分析题(任选2题作答,每题15分,共30分)
1、在同一晶胞中画出立方晶系中的 晶面以及 晶向。
2、分析位错反应 能否发生?(要求写出判断依据)。
3、根据MgO-SiO2系统相图(下图)说明,镁质耐火材料配料中MgO含量为何应大于Mg2SiO4中MgO含量?


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2013年桂林电子科技大学909材料科学基础(B)(2013-B)考研真题